华邦电子的存储技术未来将围绕端侧 AI 应用，朝着高性能、低功耗、高安全、小型化等方向发展，同时加强生态合作，具体如下：

• 聚焦端侧 AI 应用：随着 AI 计算向本地迁移，边缘设备对本地高速存储需求大增。华邦电子将专注于端侧 AI 存储，其半定制化存储产品，如 CMS 客制化内存解决方案产品线，会因低功耗、高带宽等优势，在边缘 AI 等新兴应用中获得更多关注。基于 3D 架构的 CUBE 产品，将继续优化并应用于智能穿戴设备、边缘计算服务器、ADAS 及协作机器人等场景。
• 推进制程与产品升级：华邦电子将持续推动制程演进，DRAM 技术向 16 纳米发展，NAND Flash 和 NOR Flash 分别向更先进工艺演进。同时丰富产品线，如推出 8Gbit DDR4 产品，推进 20nm 8Gbit LPDDR4 产品批量交付，对 HYPERRAM 采用更先进制程，提升其容量、速度和功耗等指标。
• 提升性能与能效：通过优化存储架构和编程方法，提升数据读写速度，降低响应延迟，以满足智能设备快速处理大量数据的需求。同时，完善能效管理技术，开发更节能的存储产品，探索与能量收集技术结合，提高设备能源自给能力。
• 强化安全存储：面对严峻的数据安全威胁，华邦电子会升级加密技术，采用更先进加密算法和密钥管理系统。其 TrustME® 系列安全闪存产品将进一步提升安全等级，同时从硬件层面加强保护，防止物理攻击和篡改，满足汽车、金融、医疗等行业需求。
• 提高集成度与兼容性：继续推进 3D 封装等技术，提高存储芯片集成度，在更小体积内实现更大容量和更高性能。注重与处理器、传感器等其他组件深度集成，形成更高效的系统级解决方案，优化接口和数据传输协议，提高系统运行效率。
• 深化产业链合作：将持续深化与业界领先 SoC 厂商合作，同时关注 SoC 上下游企业，如 IDH 方案公司和 IP 公司，共同开发符合市场需求的高品质产品，构建更完善的生态系统，推动存储技术规模化落地。