华邦电子有多项用于存储技术优化的专利，以下是一些典型专利介绍：

• 半导体存储器及其控制方法：该专利可有效应对半导体存储器中不良位线的挑战。当某一子阵列内的不良位线数量超过预设的备用位线数量时，可激活隔壁子阵列内的对应字线，利用后者的良好单元进行数据存取，提高存储器在不良状况下的存储可靠性。
• 易失存储器以及其断电机制的控制方法：提出了一种断电机制控制方法，在第一时间点接收断电命令时，判断是否处于丛发式刷新动作的操作期间，根据先前刷新动作发生的时间点和时间间距计算当前时间点与下一次刷新动作之间的时间差，从而决定是否启动易失存储器的低电流工作模式，提高了存储器在低电流环境下的稳定性，延长易失存储器的寿命。
• 半导体存储装置以及编程方法：该专利涵盖的存储装置及编程方法，在编程过程中引入更为先进的控制算法，通过优化数据访问路径，促进数据的快速存储和读取，可满足移动设备、云计算和人工智能等多个应用领域的需求。
• 存储装置及其连续读写方法：通过独特的连续读写方法，实现更快的数据访问速度，在降低能耗的同时提高数据的稳定性和可靠性，理论上可以将读写速度提升至数百 MB/s，为云计算和大数据环境下的数据处理提供重要应用价值，部分 AI 算法的应用还能为用户提供智能的数据管理解决方案。
• 半导体存储器的改进结构：专利号为 ZL 02118577.8，通过改进半导体存储器结构，将传统每一输出设定装置中所用的2k
• 个熔丝减少至 k 个熔丝，降低熔丝不完全熔断发生的机会，避免数据线 I/O 间干扰的问题发生，提高了半导体存储器的合格率及可靠度。
• 存储器装置及其制造方法：通过在埋入式字元线上设置气隙来取代一部分的介电层，以降低整体的介电常数并改善电容耦合问题，进而提升存储器装置的效能。同时，连接结构包含导电材料可降低阻值，改善电阻电容延迟，进一步提升存储器装置的效能。
• 半导体存储器装置及其形成方法：公开号为 CN119183294A，通过垂直堆叠多个纳米线和包绕这些纳米线的多个存储膜，增强存储器的性能，可有效提高存储密度和读取速度，还有助于降低能耗。