富满微的抗辐射干扰技术主要通过以下几个方面实现：

• 电磁屏蔽技术：在芯片设计中，采用金属屏蔽罩或在芯片封装内部设置屏蔽层等方式，将芯片的敏感电路与外界电磁干扰源隔离开来。这些屏蔽层通常由具有良好导电性和导磁性的材料制成，如铜、铝等。当电磁波遇到屏蔽层时，会在屏蔽层表面产生感应电流和感应磁场，从而消耗电磁波的能量，实现对电磁辐射的反射和吸收，减少外界辐射对芯片内部电路的干扰。
• 滤波技术：在芯片的电源引脚和信号引脚上设置滤波电路，通过滤波电路可以截止特定频率的干扰信号进入芯片，只允许正常的电源信号和有用的工作信号通过。常见的滤波元件有电容、电感和磁珠等。例如，电容可以旁路高频干扰信号到地，电感则对高频电流呈现高阻抗，阻碍高频干扰信号通过，从而保证芯片工作电源的稳定性和信号的完整性。
• 电路布局优化：合理规划芯片内部电路的布局，将敏感电路和易产生电磁干扰的电路分开布局，增加它们之间的距离，减少电磁耦合。同时，对高速信号线路和时钟线路等进行特殊处理，如采用差分信号传输、增加屏蔽层等方式，降低这些线路对外界的电磁辐射以及它们受到外界干扰的可能性。另外，还会优化接地设计，确保芯片内部的地线分布合理，形成良好的接地回路，减少地电位差引起的电磁干扰。
• 抗辐射加固设计：在芯片的晶体管级和版图级进行抗辐射加固设计。例如，采用具有抗辐射能力的晶体管结构和工艺，提高晶体管对辐射的耐受性；在版图设计中，增加冗余的电路结构和保护环等，当部分电路受到辐射损伤时，冗余结构可以替代其功能，保证芯片的正常工作。此外，还会对芯片的存储单元进行特殊设计，采用纠错编码、冗余存储等技术，提高存储数据在辐射环境下的可靠性。