华邦电子的 KGD 技术在 2.0 时代相比 1.0 时代有以下显著提升：

• 芯片厚度更薄：KGD 1.0 中裸片最厚处大约为 100-150 微米，而 KGD 2.0 通过 TSV 的深宽比能力提升，可将芯片打磨至 50 微米的深度（相当于 2mil），未来通过 Hybrid Bonding 工艺甚至可以实现 1 微米的距离，使芯片厚度大幅降低，更有利于产品的轻薄化设计。
• 信号与电源完整性更好：KGD 1.0 的性能虽能满足主流需求，但 KGD 2.0 采用了 3D 堆叠技术，结合微键合甚至混合键合工艺，让信号所经过的传输距离大幅缩短。例如，微键合可将 1000 微米的线长缩短至 40 微米，混合键合工艺下可缩短至 1 微米，从而使信号完整性 / 电源完整性（SI/PI）表现更优。
• 功耗更低：KGD 1.0 中 LPDDR4 的电源效率小于 35pJ/Byte，而 KGD 2.0 的功耗可以低于 LPDDR4 的四分之一，达到 8pJ/Byte，能更好地满足低功耗应用需求，延长设备续航时间。
• 带宽更高：KGD 1.0 中 X32 LPDDR4x 每 I/O 为 17GB/s，KGD 2.0 的带宽则可实现 16-256GB/s，大幅提升了数据传输速度，能为 AI 等高算力需求场景提供更有力的支持。
• 成本更优：KGD 2.0 通过 3D 堆叠以及 CUBE DRAM 裸片堆叠技术，可使 SoC 裸片尺寸缩小，从而降低成本。同时，更优的性能和更低的功耗也能在一定程度上减少整体系统的成本，包括散热成本等。
• 封装方式更先进：KGD 2.0 加入了 3D 堆叠以及 CUBE DRAM 裸片堆叠技术，还可提供 2.5D、Fan - Out 等工艺，并且能提供硅中介层和硅电容（Si - Cap）。硅电容可降低电源波动影响，提高运行经时击穿电压，使芯片能获得稳定电压，满足先进制程芯片的需求。