技术: 
Si 
 
封装 / 箱体: 
TO-220AB-3 
 
安装风格: 
Through Hole 
 
配置: 
Single 
 
集电极—发射极最大电压 VCEO: 
600 V 
 
集电极—射极饱和电压: 
1.95 V 
 
栅极/发射极最大电压: 
20 V 
 
在25 C的连续集电极电流: 
48 A 
 
Pd-功率耗散: 
250 W 
 
最小工作温度: 
- 55 C 
 
封装: 
Tube 
 
高度: 
16.51 mm 


长度: 
10.67 mm 


宽度: 
4.83 mm 


商标: 
Infineon Technologies 


产品类型: 
IGBT Transistors 


工厂包装数量: 
1000 


子类别: 
IGBTs 


零件号别名: 
IRGB4062DPBF SP001544880 


单位重量: 
6 g