技术:
Si
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
SOT-23-3
晶体管极性:
P-Channel
通道数量:
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:
30 V
Id-连续漏极电流:
760 mA
Rds On-漏源导通电阻:
600 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:
1 V
Qg-栅极电荷:
3.4 nC
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
540 mW
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
封装:
Reel
配置:
Single
高度:
1.1 mm
长度:
2.9 mm
产品:
MOSFET Small Signal
晶体管类型:
1 P-Channel
宽度:
1.3 mm
商标:
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值:
0.44 S
下降时间:
16 ns
产品类型:
MOSFET
上升时间:
8.2 ns
工厂包装数量:
3000
子类别:
MOSFETs
典型关闭延迟时间:
23 ns
典型接通延迟时间:
10 ns
零件号别名:
IRLML5103TRPBF SP001572946
单位重量:
8 mg
Si
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
SOT-23-3
晶体管极性:
P-Channel
通道数量:
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:
30 V
Id-连续漏极电流:
760 mA
Rds On-漏源导通电阻:
600 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:
1 V
Qg-栅极电荷:
3.4 nC
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
540 mW
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
封装:
Reel
配置:
Single
高度:
1.1 mm
长度:
2.9 mm
产品:
MOSFET Small Signal
晶体管类型:
1 P-Channel
宽度:
1.3 mm
商标:
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值:
0.44 S
下降时间:
16 ns
产品类型:
MOSFET
上升时间:
8.2 ns
工厂包装数量:
3000
子类别:
MOSFETs
典型关闭延迟时间:
23 ns
典型接通延迟时间:
10 ns
零件号别名:
IRLML5103TRPBF SP001572946
单位重量:
8 mg













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