技术:
Si
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
SOT-223-4
晶体管极性:
N-Channel
通道数量:
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:
600 V
Id-连续漏极电流:
2.6 A
Rds On-漏源导通电阻:
7.96 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压:
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:
2.5 V
Qg-栅极电荷:
4.6 nC
最小工作温度:
- 40 C
最大工作温度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
5 W
通道模式:
Enhancement
商标名:
CoolMOS
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
封装:
Reel
配置:
Single
高度:
1.6 mm
长度:
6.5 mm
系列:
CoolMOS CE
晶体管类型:
1 N-Channel
宽度:
3.5 mm
商标:
Infineon Technologies
下降时间:
60 ns
产品类型:
MOSFET
上升时间:
10 ns
工厂包装数量:
3000
子类别:
MOSFETs
典型关闭延迟时间:
40 ns
典型接通延迟时间:
8 ns
零件号别名:
IPN60R3K4CE SP001434888
单位重量:
112 mg
Si
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
SOT-223-4
晶体管极性:
N-Channel
通道数量:
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:
600 V
Id-连续漏极电流:
2.6 A
Rds On-漏源导通电阻:
7.96 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压:
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:
2.5 V
Qg-栅极电荷:
4.6 nC
最小工作温度:
- 40 C
最大工作温度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
5 W
通道模式:
Enhancement
商标名:
CoolMOS
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
封装:
Reel
配置:
Single
高度:
1.6 mm
长度:
6.5 mm
系列:
CoolMOS CE
晶体管类型:
1 N-Channel
宽度:
3.5 mm
商标:
Infineon Technologies
下降时间:
60 ns
产品类型:
MOSFET
上升时间:
10 ns
工厂包装数量:
3000
子类别:
MOSFETs
典型关闭延迟时间:
40 ns
典型接通延迟时间:
8 ns
零件号别名:
IPN60R3K4CE SP001434888
单位重量:
112 mg













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