常用温补晶振指标|TCXO

　　温补晶振 TCXO10MHz ±0.5ppm, -40℃~ +85℃, 5.0V, sine输出, 不带频率调整,封装SMD 7×5×2mm

　　温补晶振 TCXO10MHz ±0.5ppm, -40℃~ +85℃, 3.3V, Hcmos, 带频率调整,封装SMD 7×5×2mm

　　温补晶振 TCXO10MHz ±0.5ppm, -40℃~ +85℃, 3.3V, sine输出, 带频率调整,封装SMD 7×5×2mm

　　温补晶振 TCXO10MHz ±0.5ppm, -40℃~ +85℃, 3.3V, clipped sine, 带频率调整,封装SMD 5×3mm