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EM6AB160TSE-5G 概述如下：


该EM6AB160 SDRAM是高速CMOS双数据传输速率包含512兆位同步DRAM 。这是在内部配置为四通道

8M ×16的DRAM与同步接口（所有信号被登记在在时钟信号的上升沿， CK） 。数据输出出现在CK

的两个上升沿和CK.D读取和写入访问到SDRAM是迸发导向;存取开始以选定位置和持续的地点设定

的号码在一个编程序列。访问开始时的一个BankActivate命令的登记，然后跟随通过读或写命令。

该EM6AB160提供可编程的读或写突发2,4或8的长度自动预充电功能可被使能，以提供一个自定时

行预充电的脉冲串的末端被启动，它将序列。刷新功能，自动或自刷新很容易使用。此外， 

EM6AB160设有可编程DLL选项。通过具有可编程的模式寄存器和扩展模式寄存器，系统可以选择最

适合的模式，以最大限度地发挥其性能。这些器件非常适用于需要高内存的应用带宽，导致器件

特别适合于高性能主存储器和图形应用。

EM6AB160TSE-5G  产品图如下：