华邦电子 HyperRAM 技术具有低功耗、高带宽、小体积、设计简便等优势，具体如下：

• 低功耗：HyperRAM 的操作电压低，如 1.8V 操作功耗只有传统 SDRAM/DDR 3.3V 的 25%，新一代 HyperRAM 操作电压进一步降到 1.2V，功耗又进一步降低 33%。其混合睡眠模式下待机功耗仅 70μW，相比其他内存产品功耗优势明显，适合电池供电的可穿戴设备、物联网设备等。
• 高带宽：HyperRAM 3.1 使用全新的 16 位扩展 HyperBus 接口，支持高达 1GBps 的数据传输速率，能为 MCU/FPGA 提供低延迟、高吞吐的缓存支持，满足 AI、图像处理等对数据传输速度要求高的应用场景。
• 小体积：华邦 HyperRAM 采用小尺寸封装，如 BGA 49 封装尺寸可微缩至 4x4mm2，相较传统封装减少了碳排，也节省了 PCB 空间，适配激光雷达、仪表盘等对空间敏感的场景。
• 设计简便：HyperRAM 器件使用的信号引脚少，如 256Mb 的 HyperRAM 2.0 e KGD 只需 22 个信号引脚，而传统 DRAM 需要 31-38 个，64Mb 的 HyperRAM 只需 13 个信号引脚，这使得电路板布局设计更加简单，降低了设计难度和成本。
• 生态系统成熟：NXP、瑞萨、ST、TI 等领先的 MCU 公司已提供支持 HyperBus 接口的 MCU，Cadence、Synopsys 和 Mobiveil 也开始提供 HyperBus 内存控制 IP，这使得 HyperRAM 相比其他 Octal RAM 具有更成熟的应用环境，方便客户进行产品设计和开发。