卓胜微在技术领域的拓展主要体现在以下几个方面：

• 射频模组集成化程度提升：2025 年上半年，卓胜微射频模组收入占比提升至 44.35%，较上年同期的 36.34% 显著增长。其最高集成度的模组产品 L-PAMiD 已通过部分主流客户验证并进入量产交付阶段，该产品集成了公司自产的 MAX-SAW 滤波器，标志着公司在高端射频前端领域的全链能力再获突破。
• 新兴产品领域布局：在传统手机市场之外，卓胜微构建起两大新兴增长极。其一，WiFi 7 前端模组实现规模化量产，抢占下一代无线通信技术先机；其二，蓝牙前端模组、UWB 芯片完成客户端验证，布局物联网精准定位市场，为公司未来在 AIoT、汽车电子等新兴市场的深耕奠定了基础。
• 工艺技术创新：卓胜微不断推进芯卓半导体产业化项目建设，其 12 英寸 IPD 平台正式进入规模量产阶段，L-PAMiF、LFEM 等相关模组产品已全部采用自产 IPD 滤波器。12 英寸射频开关和低噪声放大器的第一代工艺生产线已实现工艺通线进入量产阶段，同时启动了第二代工艺的开发。此外，公司还前瞻性地规划了射频前端行业领先的先进封装工艺技术能力，通过 3D 堆叠封装形式等实现更好的性能和面积优势，部分产品已采用先进封装技术并获得客户验证通过。
• 打造 “智能质造” 资源平台：卓胜微深度挖掘 Fab-Lite 模式的潜力，打造集设计、研发、工艺、器件、材料和集成等技术于一体的 “智能质造” 资源平台，以标准演进、实际应用需求为起点，先进物理资源集成平台为载体，定制差异化的工艺器件技术，聚焦特色工艺能力建设，突破传统晶圆制造技术平台的限制，为公司长远向好发展奠定坚实基础。
• 拓展高端射频模组市场：作为国内射频芯片领域的领军企业，卓胜微已初步实现由 Fabless 向 Fab-Lite 模式的战略转型。其自建产线优势凸显，有利于抓住 5G 技术核心射频前端芯片及模组生产的国产替代需求，抢占更多市场份额。L-PAMiD 产品的性能、工艺和技术已达到行业主流水平，通过了部分品牌客户验证，公司还具备 IPD 滤波器、射频开关和低噪声放大器的生产工艺能力，正处于客户端放量阶段。