卓胜微的 POI 衬底技术是其在射频滤波器领域实现技术突破的关键因素之一。POI 衬底即氧化硅 / 压电单晶复合衬底。以下是关于该技术的详细介绍：

• 技术原理：POI 衬底在压电层和功能层表面以下增加额外的氧化埋层，可将在表面传播的声表面波（SAW）引入压电层和功能层，把声学能量限制在表面附近，从而改善频率温度系数（TCF）和品质因数（Q）。
• 在 MAX-SAW 滤波器中的应用：卓胜微的 MAX-SAW 滤波器采用了 POI 衬底技术。从性能方面来看，在 Sub-3GHz 频段，MAX-SAW 的插损、带宽、抑制度等指标已达到甚至优于 BAW（体声波）器件的水平；从制造方面来看，MAX-SAW 的工艺流程大大简化，随着自动化数据化工具的熟练运用，设备和工艺的能力水平不断提升；从成本方面来看，POI 衬底早期因技术难度批产困难，成本较高，但在 POI 材料具备批量制造能力之后，随着 MAX-SAW 的产品放量，当前 POI 衬底价格已大幅下降，经济性优势逐步显现。
• 技术优势：POI 衬底技术使滤波器插入损耗降至 1.0dB 以下，适配 5G 手机高频段需求，可支撑小米 14 Pro 等旗舰机型的下载速率提升 15%。此外，卓胜微通过 POI 衬底技术实现 MAX-SAW 在 sub-3GHz 频段的性能突破，这种 “错位竞争” 策略既避开了博通、Qorvo 等企业在 BAW 领域的专利垄断，也为国产射频芯片开辟了新赛道。
• 产业布局：卓胜微在芯卓建设初期就锁定国内一流衬底供应商，并对其批产能力具有高度信心，通过对供应商的培养和赋能，提升了自身的议价能力。同时，公司围绕 MAX-SAW 技术路线，在资源投入、专利布局与生态协同方面进行了长期的、正向的建设，构建了系统性的能力体系，核心专利布局涵盖器件结构设计、材料层变化、关键制程节点优化、设备改造等多个维度。