华邦电子的 KGD 技术未来将朝着更低功耗、更高集成度、更优性能以及更广泛的应用领域发展，具体如下：

• 工艺升级与功耗降低：KGD 技术将持续借助新型封装工艺提升性能。目前 KGD 2.0 已通过 TSV 技术实现较薄的芯片厚度，未来将通过 Hybrid Bonding 工艺进一步将芯片间距离缩短至 1 微米，使信号传输距离更短，功耗更低，有望低于 LPDDR4 的四分之一，达到 8pJ/Byte。
• 提升信号完整性与带宽：随着工艺改进，KGD 技术的信号完整性 / 电源完整性（SI/PI）将不断优化。KGD 2.0 的带宽已能实现 16-256GB/s，未来有望继续提升，为高速数据传输提供支持，满足人工智能、边缘计算等领域对高带宽的需求。
• 提供一站式解决方案：华邦电子将通过 3DCaaS 平台，为客户提供从 DRAM 到封装测试再到 IP 的完整一站式解决方案。结合其在封装领域的合作，提供 Die 的 TSV 穿孔技术和 Interposer，帮助实现更低功耗和更高集成度的 3D 封装。
• 聚焦边缘计算与 AI 应用：KGD 技术将聚焦于边缘计算和生成式 AI 等应用场景。其 CUBE 解决方案作为 KGD 技术的应用成果，可允许客户使用成熟制程的 SoC 获得高速带宽，未来还可能与客户探讨更低带宽、更小裸片尺寸的合作，以适应不同边缘计算设备的需求。
• 融入可持续发展理念：华邦电子将可持续发展理念融入运营，未来 KGD 技术可能会更多地在绿色工厂中生产，利用可再生能源，降低产品碳足迹，满足环保要求，为打造更可持续的半导体未来贡献力量。
• 适配先进制程与高算力需求：随着 CPU 高速运算需求对制程要求越来越高，华邦电子将通过 KGD 技术，以 L4 缓存 CUBE 解决方案替代部分 L3 缓存，采用多 BANK 等特殊架构，缩短 L4 缓存延迟，适配先进制程 CPU 的高算力需求，同时降低成本。