卓胜微的抗静电（ESD）设计专利具有提高芯片可靠性、解决涡流问题、优化制造工艺等优势，以 “芯片保护环结构、芯片及其制备方法” 专利为例，具体如下：

• 增强芯片环境适应能力：通过在芯片保护环上设置开口，并加入金属阻挡结构来阻隔应力和水汽的传递，可提高芯片在高温、高湿等不同工作环境下的适应能力，减少潜在的损坏风险，进而提升整个智能设备的使用寿命和安全性。
• 解决闭环结构涡流问题：利用金属阻挡结构可减小内外环间的介质层的有效间距，能够解决传统闭环结构带来的涡流问题，为芯片稳定工作提供良好条件，有助于提升智能设备在运行复杂任务时的性能表现。
• 提高开环结构可靠性：该专利设计使得应力、水汽等的传递路径更加曲折且漫长，在解决涡流问题的同时，提高了开环结构的可靠性，实现了芯片保护环结构的良好保护作用，让芯片在面对静电等外界干扰时更稳定。
• 优化制造与性能平衡：从制造角度看，区别于一些复杂且难以控制参数的 ESD 保护器件结构，此专利设计在一定程度上利于生产制造，可减少因工艺复杂导致的参数不一致问题，有助于降低生产成本，同时保障 ESD 防护性能。