新洁能在第三代半导体功率器件领域的研发进展如下：

专利成果方面：

2024 年 5 月 10 日，新洁能取得 “一种高耐压的碳化硅肖特基二极管及其制造方法” 专利。该专利通过特殊的结构设计，在提高器件击穿电压、改善浪涌电流能力方面有重要意义，有助于进一步提升新洁能碳化硅肖特基二极管（SiC SBD）产品的技术水平。

产品开发方面：

SiC 领域：2023 年已开发完成 1200V 23mΩ - 75mΩ 和 750V 26mΩ SiC MOSFET 系列产品，新增产品 12 款，相关产品处于小规模销售阶段。

GaN 领域：2023 年，新洁能 650V/190mΩ E-mode GaN HEMT 产品、650V 460mΩ D-mode GaN HEMT 已开发完成，新增产品 2 款，并通过可靠性考核，其 100V/200V GaN 产品正在开发中。

募投项目建设方面：

新洁能曾开启非公开发行股票募资，用于支持包括 “第三代半导体 SiC/GaN 功率器件及封测的研发及产业化” 等多个项目。该项目原计划 2024 年建设完成，但受宏观环境等不可控因素的影响，工程建设、设备采购和人员安排等进度受阻。截至 2024 年 6 月 30 日，已使用资金为 391.43 万元，仅占计划投入的 1.9%。公司于 2024 年 8 月决定将该项目达到预定可使用状态的日期延期至 2025 年 8 月 。