长江存储技术研发团队的技术突破体现在以下方面

3D NAND 闪存技术：

2017 年底，推出首款自主设计的 32 层 3D NAND 闪存芯片；

2019 年 9 月，搭载 Xtacking®自主架构的 64 层 TLC 3D NAND 闪存芯片正式量产；

2020 年 4 月，128 层 TLC/QLC 两款产品研发成功，其中 X2-6070 型号作为业界首款 128 层 QLC 闪存，拥有业界最高的 I/O 速度、最高的存储密度和最高的单颗容量。

长江存储于 2023 年 9 月发布了基于晶栈 Xtacking 3.0 技术的第四代 3D TLC NAND 闪存芯片 X3-9070，堆叠层数超过 300 层，单颗容量为 1.6Tb（200GB），I/O 传输速率达到 3200MT/s，符合 ONFI 6.0 规范，是目前全球唯一进入零售市场的 200 层以上的 3D NAND 闪存解决方案，也是业界密度最高、性能最强、成本最低的闪存芯片之一。该公司透露正在开发基于晶栈 Xtacking 4.0 技术的第五代 3D NAND 闪存芯片，预计将在 2025 年推出 500 层以上的闪存芯片。

完成 192 层 3D NAND 闪存样品生产：长江存储已完成 192 层 3D NAND 闪存样品生产，这一成果有助于其进一步提升市场竞争力。

在闪存芯片制造工艺改进方面：通过探明磷掺杂工艺缺陷的形成机理，提出并验证了两种表面处理解决方案，减少了多晶硅上下界面的凸点缺陷数量，提高了器件制造的可靠性和成品率。

对 3D 闪存 TRE 机理的研究：研究了 3D NAND 闪存首次读取过程中电子共振的特性和机理，提出针对电子通信问题的物理模型，发现多晶硅通道 gbt 占用率的差异导致首次和第二次读操作之间 FBC 的巨大差异，并提出新的解决方法且通过实验验证。该研究有助于解决 3D 闪存的电子通信问题。

这些技术突破使长江存储在存储芯片领域取得了显著进展，提升了中国在半导体存储技术方面的竞争力，推动了国产存储芯片的发展，并在一定程度上带动了相关产业的进步。不过，半导体技术发展迅速，长江存储可能还会有其他新的技术突破，建议关注其最新动态以获取更全面的信息。