长江存储在技术研发方面投入了大量资源，并取得了显著的成果，其技术水平已达到世界先进水平。

长江存储成立于 2016 年，虽然起步相对较晚，但发展迅速。例如，2018 年长江存储生产出第一代 NAND flash 存储芯片（32 层），2019 年研发出 64 层 NAND flash 存储芯片并开始大规模投产，追上了全球主流技术水平。2020 年 4 月，其宣布 128 层 QLC 3D NAND 闪存研发成功，这是我国首款 128 层 3D NAND 闪存芯片，填补了国内相关领域的空白。

在闪存峰会上，长江存储发布的基于晶栈（Xtacking）3.0 技术的第四代 3D TLC 闪存 X3-9070，堆叠次数达到 232 层，可与三星、美光等国际大厂比肩。

长江存储还研发出了自己的 Xtacking 技术，使 NAND flash 的读写速度超过了部分巨头，展现出在技术方面的独特竞争力。其 NAND flash 存储芯片已广泛应用于 SSD 硬盘、手机等产品，包括华为等国产手机品牌已采用，甚至苹果也可能将采用长江存储的芯片。

然而，要准确评估长江存储的技术研发投入在全球所处的具体排名是比较困难的，因为这涉及到多个因素，如不同企业的规模、市场份额、研发重点以及整个行业的发展趋势等。而且各企业的技术研发投入数据也可能因为公司未公开披露或数据的时效性等原因，难以获取到确切的对比数据。

但可以肯定的是，长江存储在存储芯片领域的技术进步是有目共睹的，它的发展对于提升中国在半导体存储领域的竞争力，推动国产存储芯片的发展起到了重要作用。同时，长江存储在实现芯片设计到生产的国产化方面，比其他一些芯片行业更具优势，这也是其值得尊敬的地方。随着中国芯片产业的不断发展，未来长江存储有望在全球存储芯片市场中占据更重要的地位。