江苏长晶科技在芯片制造工艺方面有一定的技术积累和创新。以下是一些其可能采用的制造工艺环节和相关技术（部分信息来源于其子公司江苏长晶浦联功率半导体有限公司的专利）

晶圆处理：通过刻蚀等工艺在晶圆上形成各种结构，例如沟槽结构等。其晶圆切割方法采用三步切割法，先在晶圆中的划片槽处进行具有第一宽度的激光开槽，形成第一深槽并贯穿芯片上表面的外延层；然后在外延层表面的第一深槽处进行具有第二宽度的二次刻蚀，形成第二深槽；最后在第二深槽处进行具有第三宽度的激光切割，贯穿芯片的背层，得到若干单独的芯片。这种方法可针对不同的材质和结构情况，选择不同的切割方式以实现无损切割，减少芯片的良率损失和可靠性问题。

栅极制作：在沟槽结构中形成栅极，例如通过沉积等工艺。

电极接触形成：如沉积金属层以形成栅极接触、源极接触和漏极接触等。有的工艺会在沉积第二氧化层后进行刻蚀，以填充形成栅极接触及源极接触。

芯片封装：这是保护芯片并实现电气连接的重要环节。例如，一种封装结构及其制作方法包括提供框架和芯片，用包封层进行包封，覆盖屏蔽层和绝缘层，并设置多个屏蔽结构，提升电磁屏蔽效果。还有双面贴片式封装结构的制作方法，先制备框架并设置芯片、连接引脚，然后形成塑封层和外露引脚，最后在塑封层两侧贴装 PCB 板，该方法工艺简单，且封装结构能节省空间、提高集成度。另外，在制作凸点时，会先在晶圆的每一焊盘表面形成限位金属层，用于限定凸点位置，会先在晶圆的每一焊盘表面形成限位金属层，用于限定凸点位置，