一种GaN的C类功率放大器设计

　　目前,在材料方面的研究领域中,氮化镓作为最新半导体材料的重要代表之一,其具有宽禁带、高饱和电子漂移速率、高击穿场强等优点,已成为人们炙手可热的研究对象。为了探索Ga N功率放大器的特点,文中选择CREE公司的功率管CGH40010。首先阐述了其设计步骤,利用ADS仿真软件并采用负载牵引和源牵引技术实现了输入输出端口的阻抗匹配,再对整体电路进行仿真分析,并用数据说明了放大器在1.76~1.84 GHz内可实现功率输出42 d Bm以上,功率附加效率超过75%。结果表明,Ga N放大器具有高效率与高增益等优点。

　　随着现代无线通信系统的迅猛发展,对功率放大器的输出功率、带宽、效率、线性度和可靠性等方面都有了更高的要求[1,2]。在射频领域中,功率放大器作为无线通信系统中的关键组成部分而成为研究热点。尤其功率附加效率(PAE)、线性度和输出功率是微波功率放大器特别关注。