一种工作在350℃的混合集成SiC微分放大器

　　采用SiCMESFET对和厚 膜混合集成技术，设计、制作了一种运算放大器，并在350℃下进行了测试。在25～350℃温度范围内对这种放大器成功地进行了测试，放大器的增益大于 60dB，共模抑制比大于55dB，在整个温度范围内偏移电压从139mV变化到159mV。这些结果证明了采用SiCMESFET和厚膜混合集成技术实 现高温电路设计和组装的可行性。

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