基于新方法的两级CMOS运算放大器设计

　　基于CSMC 0.5μm FEOL/0.35μm BEOL Mixed Signal工艺,利用gm/ID设计方法,即以工艺库中BSIM3V3模型数据绘制出的gm/ID~Vgs关系曲线为基本出发点,结合其他参数及指标实 现了折叠式共源共栅结构两级CMOS运算放大器的电路参数及版图设计。Hspice仿真结果表明,电路在3.3V工作电压下,低频开环电压增益为 87.4d B,相位裕度为76°,单位增益带宽积为4.92MHz。利用gm/ID方法设计运算放大器,在保证电路性能的基础上具有设计流程简单、工艺一致性及设计 可移植性好等优点。

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