产品:
MOSFET Gate Drivers
类型:
High Side, Low Side
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
SOIC-8
激励器数量:
1 Driver
输出端数量:
1 Output
输出电流:
500 mA
电源电压-最小:
10 V
电源电压-最大:
20 V
上升时间:
130 ns
下降时间:
65 ns
最小工作温度:
- 40 C
最大工作温度:
+ 125 C
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
封装:
Reel
高度:
1.5 mm
长度:
5 mm
技术:
Si
宽度:
4 mm
商标:
Infineon / IR
逻辑类型:
CMOS, TTL
最大关闭延迟时间:
200 ns
最大开启延迟时间:
250 ns
湿度敏感性:
Yes
工作电源电流:
120 uA
工作电源电压:
25 V
Pd-功率耗散:
625 mW
产品类型:
Gate Drivers
工厂包装数量:
2500
子类别:
PMIC - Power Management ICs
零件号别名:
IR21271STRPBF SP001536750
单位重量:
1 g
MOSFET Gate Drivers
类型:
High Side, Low Side
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
SOIC-8
激励器数量:
1 Driver
输出端数量:
1 Output
输出电流:
500 mA
电源电压-最小:
10 V
电源电压-最大:
20 V
上升时间:
130 ns
下降时间:
65 ns
最小工作温度:
- 40 C
最大工作温度:
+ 125 C
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
封装:
Reel
高度:
1.5 mm
长度:
5 mm
技术:
Si
宽度:
4 mm
商标:
Infineon / IR
逻辑类型:
CMOS, TTL
最大关闭延迟时间:
200 ns
最大开启延迟时间:
250 ns
湿度敏感性:
Yes
工作电源电流:
120 uA
工作电源电压:
25 V
Pd-功率耗散:
625 mW
产品类型:
Gate Drivers
工厂包装数量:
2500
子类别:
PMIC - Power Management ICs
零件号别名:
IR21271STRPBF SP001536750
单位重量:
1 g