技术:
Si
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
SO-8
晶体管极性:
P-Channel
通道数量:
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:
30 V
Id-连续漏极电流:
- 12 A
Rds On-漏源导通电阻:
16.1 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:
1.8 V
Qg-栅极电荷:
18 nC
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
2.5 W
通道模式:
Enhancement
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
封装:
Reel
配置:
Single
高度:
1.75 mm
长度:
4.9 mm
晶体管类型:
1 P-Channel
宽度:
3.9 mm
商标:
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值:
20 S
下降时间:
66 ns
产品类型:
MOSFET
上升时间:
57 ns
工厂包装数量:
4000
子类别:
MOSFETs
典型关闭延迟时间:
80 ns
典型接通延迟时间:
19 ns
零件号别名:
IRF9328TRPBF SP001560146
单位重量:
506.600 mg
Si
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
SO-8
晶体管极性:
P-Channel
通道数量:
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:
30 V
Id-连续漏极电流:
- 12 A
Rds On-漏源导通电阻:
16.1 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:
1.8 V
Qg-栅极电荷:
18 nC
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
2.5 W
通道模式:
Enhancement
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
封装:
Reel
配置:
Single
高度:
1.75 mm
长度:
4.9 mm
晶体管类型:
1 P-Channel
宽度:
3.9 mm
商标:
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值:
20 S
下降时间:
66 ns
产品类型:
MOSFET
上升时间:
57 ns
工厂包装数量:
4000
子类别:
MOSFETs
典型关闭延迟时间:
80 ns
典型接通延迟时间:
19 ns
零件号别名:
IRF9328TRPBF SP001560146
单位重量:
506.600 mg