技术:
Si
封装 / 箱体:
TO-247-3
安装风格:
Through Hole
配置:
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:
600 V
集电极—射极饱和电压:
1.5 V
栅极/发射极最大电压:
20 V
在25 C的连续集电极电流:
60 A
Pd-功率耗散:
160 W
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 150 C
封装:
Tube
集电极最大连续电流 Ic:
60 A
高度:
20.3 mm
长度:
15.9 mm
宽度:
5.3 mm
商标:
Infineon / IR
产品类型:
IGBT Transistors
工厂包装数量:
400
子类别:
IGBTs
零件号别名:
IRG4PC40SPBF SP001537184
单位重量:
38 g
Si
封装 / 箱体:
TO-247-3
安装风格:
Through Hole
配置:
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:
600 V
集电极—射极饱和电压:
1.5 V
栅极/发射极最大电压:
20 V
在25 C的连续集电极电流:
60 A
Pd-功率耗散:
160 W
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 150 C
封装:
Tube
集电极最大连续电流 Ic:
60 A
高度:
20.3 mm
长度:
15.9 mm
宽度:
5.3 mm
商标:
Infineon / IR
产品类型:
IGBT Transistors
工厂包装数量:
400
子类别:
IGBTs
零件号别名:
IRG4PC40SPBF SP001537184
单位重量:
38 g













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