技术:
Si
封装 / 箱体:
TO-263-3
安装风格:
SMD/SMT
配置:
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:
600 V
集电极—射极饱和电压:
1.5 V
栅极/发射极最大电压:
20 V
在25 C的连续集电极电流:
12 A
Pd-功率耗散:
88 W
最小工作温度:
- 40 C
最大工作温度:
+ 175 C
系列:
TRENCHSTOP IGBT
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
封装:
Reel
商标:
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流:
100 nA
产品类型:
IGBT Transistors
工厂包装数量:
1000
子类别:
IGBTs
商标名:
TRENCHSTOP
零件号别名:
IKB06N60T SP000014954
单位重量:
1.557
Si
封装 / 箱体:
TO-263-3
安装风格:
SMD/SMT
配置:
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:
600 V
集电极—射极饱和电压:
1.5 V
栅极/发射极最大电压:
20 V
在25 C的连续集电极电流:
12 A
Pd-功率耗散:
88 W
最小工作温度:
- 40 C
最大工作温度:
+ 175 C
系列:
TRENCHSTOP IGBT
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
封装:
Reel
商标:
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流:
100 nA
产品类型:
IGBT Transistors
工厂包装数量:
1000
子类别:
IGBTs
商标名:
TRENCHSTOP
零件号别名:
IKB06N60T SP000014954
单位重量:
1.557