产品:
MOSFET Gate Drivers
类型:
High Side
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
SOIC-16
激励器数量:
1 Driver
输出端数量:
1 Output
输出电流:
1 A
上升时间:
43 ns
下降时间:
26 ns
电源电压-最小:
0 V
电源电压-最大:
18 V
传播延迟—最大值:
270 ns
工作电源电流:
1.2 mA
Pd-功率耗散:
1.25 W
最小工作温度:
- 40 C
最大工作温度:
+ 125 C
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
封装:
Reel
特点:
Synchronous
高度:
2.65 mm
长度:
10.5 mm
输出电压:
12 V to 18 V
技术:
Si
宽度:
7.6 mm
商标:
Infineon / IR
逻辑类型:
CMOS, TTL
关闭:
Yes
最大关闭延迟时间:
200 ns
最大开启延迟时间:
170 ns
湿度敏感性:
Yes
工作电源电压:
12 V to 18 V
产品类型:
Gate Drivers
工厂包装数量:
1000
子类别:
PMIC - Power Management ICs
零件号别名:
IR2125STRPBF SP001543836
单位重量:
666 mg
MOSFET Gate Drivers
类型:
High Side
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
SOIC-16
激励器数量:
1 Driver
输出端数量:
1 Output
输出电流:
1 A
上升时间:
43 ns
下降时间:
26 ns
电源电压-最小:
0 V
电源电压-最大:
18 V
传播延迟—最大值:
270 ns
工作电源电流:
1.2 mA
Pd-功率耗散:
1.25 W
最小工作温度:
- 40 C
最大工作温度:
+ 125 C
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
封装:
Reel
特点:
Synchronous
高度:
2.65 mm
长度:
10.5 mm
输出电压:
12 V to 18 V
技术:
Si
宽度:
7.6 mm
商标:
Infineon / IR
逻辑类型:
CMOS, TTL
关闭:
Yes
最大关闭延迟时间:
200 ns
最大开启延迟时间:
170 ns
湿度敏感性:
Yes
工作电源电压:
12 V to 18 V
产品类型:
Gate Drivers
工厂包装数量:
1000
子类别:
PMIC - Power Management ICs
零件号别名:
IR2125STRPBF SP001543836
单位重量:
666 mg