技术: 
Si 
 
安装风格: 
Through Hole 
 
封装 / 箱体: 
TO-220-3 
 
晶体管极性: 
N-Channel 
 
通道数量: 
1 Channel 
 
Vds-漏源极击穿电压: 
500 V 
 
Id-连续漏极电流: 
24.8 A 
 
Rds On-漏源导通电阻: 
170 mOhms 
 
Vgs - 栅极-源极电压: 
20 V 
 
Vgs th-栅源极阈值电压: 
2.5 V 
 
Qg-栅极电荷: 
47.2 nC 
 
最小工作温度: 
- 55 C 
 
最大工作温度: 
+ 150 C 
 
Pd-功率耗散: 
152 W 
 
通道模式: 
Enhancement 
 
商标名: 
CoolMOS 
 
封装: 
Tube 
 
配置: 
Single 
  
高度: 
15.65 mm 
  
长度: 
10 mm 
  
系列: 
CoolMOS CE 
  
晶体管类型: 
1 N-Channel 
  
宽度: 
4.4 mm 
  
商标: 
Infineon Technologies 
  
下降时间: 
7.5 ns 
  
产品类型: 
MOSFET 
  
上升时间: 
8.5 ns 
  
工厂包装数量: 
500 
  
子类别: 
MOSFETs 
  
典型关闭延迟时间: 
54 ns 
  
典型接通延迟时间: 
9.5 ns 
  
零件号别名: 
IPP50R190CE SP000850802 
  
单位重量: 
6 g