系列: 
BFR740L3 
 
晶体管类型: 
Bipolar 
 
技术: 
SiGe 
 
晶体管极性: 
NPN 
 
直流集电极/Base Gain hfe Min: 
160 
 
集电极—发射极最大电压 VCEO: 
4 V 
 
发射极 - 基极电压 VEBO: 
1.2 V 
 
集电极连续电流: 
40 mA 
 
安装风格: 
SMD/SMT 
 
封装 / 箱体: 
TSLP-3 
 
封装: 
Cut Tape 
 
封装: 
Reel 
 
工作频率: 
40 GHz 
  
商标: 
Infineon Technologies 
  
Pd-功率耗散: 
160 mW 
  
产品类型: 
RF Bipolar Transistors 
  
工厂包装数量: 
15000 
  
子类别: 
Transistors 
  
零件号别名: 
BFR 740L3RH E6327 SP000252393 
  
单位重量: 
0.500 mg