技术: 
Si 
 
安装风格: 
SMD/SMT 
 
封装 / 箱体: 
D2PAK-7 
 
晶体管极性: 
N-Channel 
 
通道数量: 
1 Channel 
 
Vds-漏源极击穿电压: 
40 V 
 
Id-连续漏极电流: 
478 A 
 
Rds On-漏源导通电阻: 
600 uOhms 
 
Vgs - 栅极-源极电压: 
20 V 
 
Vgs th-栅源极阈值电压: 
1 V 
 
Qg-栅极电荷: 
267 nC 
 
最小工作温度: 
- 55 C 
 
最大工作温度: 
+ 175 C 
 
Pd-功率耗散: 
375 W 
 
通道模式: 
Enhancement 
 
商标名: 
StrongIRFET 
 
封装: 
Cut Tape 
 
封装: 
Reel 
 
配置: 
Single 
  
晶体管类型: 
1 N-Channel 
  
商标: 
Infineon Technologies 
  
正向跨导 - 最小值: 
244 S 
  
下降时间: 
138 ns 
  
产品类型: 
MOSFET 
  
上升时间: 
182 ns 
  
工厂包装数量: 
800