技术: Si 
安装风格: SMD/SMT 
封装 / 箱体: TO-252-3 
通道数量: 1 Channel 
晶体管极性: N-Channel 
Vds-漏源极击穿电压: 30 V 
Id-连续漏极电流: 86 A 
Rds On-漏源导通电阻: 8 mOhms 
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V 
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.35 V 
Qg-栅极电荷: 15 nC 
最小工作温度: - 55 C 
最大工作温度: + 175 C 
Pd-功率耗散: 75 W 
配置: Single 
通道模式: Enhancement 
封装: Cut Tape 
封装: MouseReel 
封装: Reel 
高度: 2.3 mm  
长度: 6.5 mm  
晶体管类型: 1 N-Channel  
类型: HEXFET Power MOSFET  
宽度: 6.22 mm  
商标: Infineon Technologies  
正向跨导 - 最小值: 73 S  
下降时间: 16 ns  
产品类型: MOSFET  
上升时间: 49 ns  
工厂包装数量: 2000  
子类别: MOSFETs  
典型关闭延迟时间: 15 ns  
典型接通延迟时间: 12 ns  
零件号别名: SP001573108