技术: Si 
安装风格: Through Hole 
封装 / 箱体: TO-220-3 
晶体管极性: N-Channel 
Vds-漏源极击穿电压: 40 V 
Id-连续漏极电流: 250 A 
Rds On-漏源导通电阻: 2 mOhms 
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V 
Qg-栅极电荷: 225 nC 
Pd-功率耗散: 230 W 
商标名: StrongIRFET 
封装: Tube 
高度: 15.65 mm  
长度: 10 mm  
宽度: 4.4 mm  
商标: Infineon / IR  
产品类型: MOSFET  
工厂包装数量: 1000  
子类别: MOSFETs  
零件号别名: SP001556080