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NCP5181DR2G 概述如下：


该NCP5181是高压功率MOSFET驱动器提供两个输出的2个N沟道功率MOSFET的直接驱动设置在一个半桥（或任何

其它高侧+低位侧）配置。它使用自举技术，以保证的一个适当的驱动器高侧电源开关。该驱动程序适用于2

个独立的输入以适应任何拓扑（包括半桥，非对称半桥，有源钳位和全桥...）。




NCP5181DR2G 应用于：


●高功率能源管理

●半桥式功率转换器

●任何互补驱动转换器（非对称半桥，有源钳位）

●全桥转换器

●桥逆变器UPS系统

NCP5181DR2G  产品参数图如下：

NCP5181DR2G  产品图如下：