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IS42S16400J-7TLI 概述如下：


64MB的SDRAM是高速CMOS ，动态随机存取存储器的设计在3.3V操作含67,108,864位内存系统。


国内配置为四组的DRAM ，具有同步接口. 每个16,777,216位银行被组织为4,096 行，256


列16位。64MB的SDRAM的包括一个自动刷新模式, 和节电，省电模式。所有的信号都登记在时


钟信号CLK的上升沿。所有输入和输出都是LVTTL兼容。64MB的SDRAM具有同步爆发的能力在高


数据速率的自动列地址的数据一代，有能力内部银行之间的交错隐藏预充电时间和能力，以


随机在更改地址栏上的每个时钟周期突发存取。在突发年底启动自定时行预充电序列是可用


的自动预充电功能启用。预充电一家银行在访问中的一个其他三家银行将隐藏预充电周期，


并提供无缝的，高速的，随机存取操作。SDRAM的读取和写入访问被爆导向出发在选定的位置，


并继续进行编程在编程顺序位置号。该激活命令的登记开始访问，其次是读或写命令。在A


CTIVE命令与注册地址位结合用于选择和行要访问（ BA0，BA1上选择银行；A0 -答11选择行).


读或与地址位一起写命令注册的用于选择起始列位置对于突发的访问。可编程的读或写突发长

度由1，2， 4和8的位置，或整页，用一个脉冲串终止选项。

IS42S16400J-7TLI  产品参数图如下；

IS42S16400J-7TLI  产品图如下：