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ADR435 概述如下：
该电压源ADR43x系列是一个家庭的XFET基准电压源具有低噪声，高精度和低温度漂移性能。
利用ADI公司拥有专利权的温度漂移曲率校正和XFET （额外注入结型场效应管）技术，该
电压源ADR43x的电压变化与温度的非线性是最小化。该XFET引用在较低的功耗（800 μA ）
和操作电源裕量（ 2 V ），比埋齐纳参考。 Buried-齐纳参考需要5 V以上的裕量进行操作。
该电压源ADR43x XFET基准是唯一的低噪声解决方案5 V系统。该电压源ADR43x系列有能力提
供高达30毫安和吸收高达20 mA的输出电流。它还配备了一个TRIM终端来调整输出电压在0.5％
范围内而不会影响性能。该电压源ADR43x可用在8引脚的迷你型SOIC和8引脚SOIC封装。所有
版本均工作在扩展工业温度TURE范围（ -40∞C至+ 125∞C ） 。
ADR435 应用于：
● 精密数据采集系统
● 高分辨率数据转换器
● 医疗器械
● 工业过程控制系统
● 光控制电路
● 精密仪器
ADR435 概述如下：
该电压源ADR43x系列是一个家庭的XFET基准电压源具有低噪声，高精度和低温度漂移性能。
利用ADI公司拥有专利权的温度漂移曲率校正和XFET （额外注入结型场效应管）技术，该
电压源ADR43x的电压变化与温度的非线性是最小化。该XFET引用在较低的功耗（800 μA ）
和操作电源裕量（ 2 V ），比埋齐纳参考。 Buried-齐纳参考需要5 V以上的裕量进行操作。
该电压源ADR43x XFET基准是唯一的低噪声解决方案5 V系统。该电压源ADR43x系列有能力提
供高达30毫安和吸收高达20 mA的输出电流。它还配备了一个TRIM终端来调整输出电压在0.5％
范围内而不会影响性能。该电压源ADR43x可用在8引脚的迷你型SOIC和8引脚SOIC封装。所有
版本均工作在扩展工业温度TURE范围（ -40∞C至+ 125∞C ） 。
ADR435 应用于：
● 精密数据采集系统
● 高分辨率数据转换器
● 医疗器械
● 工业过程控制系统
● 光控制电路
● 精密仪器
ADR435 产品参数图如下：
ADR435 产品图如下：
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