卓胜微在射频开关和低噪声放大器技术升级方面的未来发展趋势?
深圳市星际芯城科技有限公司
发表:2026-01-22 16:02:13 阅读:15

卓胜微(Maxscend)在射频开关和低噪声放大器(LNA)技术升级的未来发展趋势可总结为以下方向:


1. 技术升级方向

(1)高频化与高性能

  • 射频开关
  • 持续优化12英寸SOI工艺,目标在毫米波频段(如n257/n258)实现插入损耗≤0.25dB、隔离度≥35dB,缩小与国际巨头(如Skyworks)的差距 。
  • 开发支持6G通信的更高频段(如太赫兹)射频开关技术储备 。
  • LNA
  • 通过GaAs/SiGe工艺迭代,将噪声系数进一步压至0.6dB以下,并扩展带宽至DC-15GHz,适配卫星通信和车载雷达需求 。

(2)集成化与模组化

  • 异质集成技术
  • 推进射频开关、LNA与自研滤波器(MAX-SAW/IPD)的3D堆叠封装,推出更高集成度的L-PAMiD、LFEM模组,目标2026年量产 。
  • AI赋能
  • 集成轻量化AI算法,实现动态阻抗匹配和功耗优化(如智能穿戴设备续航提升30%)。

2. 产业链自主化

  • 产能扩充
  • 6英寸SAW滤波器产线产能提升至1.6万片/月,12英寸IPD平台加速爬坡,降低对外部代工依赖 。
  • 材料创新
  • 联合三安光电等攻关GaN-on-SiC等高频材料,突破毫米波技术瓶颈 。

3. 应用场景拓展

  • 汽车电子
  • 车规级UWB模组(±3cm定位)和77GHz雷达前端芯片2026年规模量产,切入智能驾驶供应链 。
  • 卫星通信
  • 开发支持6GHz以上频段的射频前端芯片,适配低轨卫星终端 。

4. 挑战与风险

  • 专利壁垒:高频BAW滤波器和毫米波技术仍受国际巨头封锁,需加速自研IP布局。
  • 工艺瓶颈:GaN工艺良率和成本控制需持续优化 。


卓胜微未来将围绕高频性能突破、模组集成深化、新兴场景落地三大主线发展,通过垂直整合产线和生态合作巩固国产替代优势,但需在毫米波技术专利自主化上加速突破 。

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