根据行业动态及供应链信息，富满微（FM）的 28nm射频开关芯片 已进入试产阶段，标志着其在射频前端领域的技术突破。以下是关键信息整理：

1. 技术参数与定位

• 制程工艺：
• 采用 28nm CMOS 工艺（中芯国际代工），相比传统40nm/65nm射频开关，功耗降低30%，开关速度提升20%。
• 频率范围：
• 覆盖 600MHz-6GHz，适配5G Sub-6GHz（n77/n78/n79）、Wi-Fi 6E（6GHz频段）等场景。
• 集成度：
• 支持多模多频（如4T4R），内置ESD保护（±8kV HBM），插损<0.5dB@3GHz。

2. 试产进展

• 合作方：
• 与 中芯国际 合作流片，目前通过初步功能验证，良率目标 >85%（2025年底）。
• 测试项目：
• 高功率耐受性（30dBm输入不损坏）。
• 长期可靠性（1000次循环测试，性能衰减<5%）。

3. 应用场景

• 5G手机：替代Skyworks/Qorvo的射频前端模块（FEM）中的开关芯片。
• 物联网设备：Wi-Fi 6E路由、智能家居模组的高频信号切换。
• 基站射频单元：小型基站（Small Cell）的低功耗信号路由。

4. 市场意义

• 国产替代：
• 打破美国Skyworks、Qorvo在射频开关的垄断，降低华为、小米等厂商的供应链风险。
• 成本优势：
• 预计量产价格比进口同类低 20%-30%（如对标Skyworks的SKY13405）。

5. 挑战与风险

• 高频性能：
• 6GHz以上毫米波频段仍需技术积累（目前仅支持Sub-6GHz）。
• 客户认证：
• 需通过手机厂商的严格射频测试（如Oppo/小米的协议一致性验证）。

下一步计划

• 2026年Q1：完成头部手机厂商送样测试。
• 2026年Q3：实现量产，目标占据国产射频开关市场 10%份额。