卓胜微前端芯片终端设备小型化需求
深圳市星际芯城科技有限公司
发表:2025-12-23 09:45:02 阅读:15

截至2025年9月,卓胜微(Maxscend)在应对终端设备小型化需求时,主要通过技术创新与集成化设计优化射频前端芯片的尺寸和性能。以下是其核心策略与技术方向:


1. 高集成度模组设计

  • 多芯片整合:采用DiFEM(分集接收模组)、LFEM(主集接收模组)等方案,将射频开关、低噪声放大器(LNA)、滤波器集成于单一封装,减少PCB占用面积30%以上。
  • SiP(系统级封装)技术:通过堆叠芯片、3D封装实现更紧凑的结构,适配智能手机、可穿戴设备的轻薄化需求。

2. 先进工艺与材料创新

  • SOI工艺优化:利用绝缘体上硅(SOI)的低寄生电容特性,缩小芯片尺寸并提升高频性能(如5G毫米波频段)。
  • GaAs器件微缩:改进砷化镓(GaAs)工艺,降低开关和LNA的物理尺寸,同时维持高功率和低噪声优势。
  • 新型封装材料:引入低介电常数(Low-K)封装材料,减少信号损耗并允许更密集的布线设计。

3. 设计层面的小型化技术

  • 电路精简设计:通过合并冗余电路单元(如共享偏置电路)、优化ESD防护结构,降低芯片核心面积。
  • 高频结构优化:针对毫米波频段(24GHz以上)设计微型化天线匹配网络,减少外部元件依赖。

4. 终端协同与场景适配

  • 客户定制开发:与手机厂商(如小米、OPPO)联合定义紧凑型射频前端方案,满足特定设备内部空间限制。
  • 物联网设备适配:为TWS耳机、AR眼镜等小型设备开发超小型射频模组(尺寸<2mm²),支持低功耗蓝牙(BLE)和Wi-Fi 6E。

5. 挑战与应对

  • 散热与性能平衡:小型化可能导致热密度升高,需通过封装散热设计(如硅通孔TSV)和动态功耗管理优化。
  • 电磁干扰(EMI)控制:高集成度下采用屏蔽层和隔离技术,防止信号串扰。


行业趋势参考

  • 国际对标:Skyworks、Qorvo等厂商通过晶圆级封装(WLP)进一步缩小模组尺寸,卓胜微正加速布局类似技术。
  • 未来方向:向3D异构集成(如芯片间直接键合)演进,实现纳米级尺寸突破。
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