卓胜微在射频开关技术方面拥有多项重要专利，以下是一些较为突出的专利介绍：

• “一种射频开关芯片” 专利（授权公告号 CN108807343B）：申请日期为 2018 年 7 月，2024 年 4 月 17 日获得授权。该专利通过巧妙利用键合线和基板上第一滤波元件之间的互感，使各滤波元件更容易集成，解决了现有射频开关芯片体积大的问题，设计结构紧凑，体积小，提高了移植性能，降低了成本。
• “半导体器件及射频开关器件” 专利（公开号 CN119497416A）：2024 年 11 月申请，该发明涉及半导体器件技术领域，能够减少 MOS 管的寄生电容 Coff，有效降低 MOS 管的 FOM，有助于提升射频开关的性能。
• “射频开关及其控制方法” 专利（公开号 CN117674784A）：申请日期为 2022 年 8 月，公开于 2024 年 3 月。该专利公开了一种射频开关及其控制方法，能够解决射频开关无法兼顾快的开关速度与高的品质因数的问题。
• “一种射频开关器件” 专利（授权公告号 CN202421127632.X）：授权日为 2025 年 5 月 30 日。该专利通过在器件区与 P 型半导体衬底 PSUB 之间设置深层 N 型阱 DNW，P 型沟道区由贯穿深层 N 型阱 DNW 的开关管 P 型阱 PWSW 形成，从而避免了在有源层和衬底层之间整体插入绝缘层，能够兼容已有的体硅工艺器件平台，且能在关断状态下大幅降低衬底电容对器件的影响。