华邦电子未来的制程技术将朝着更小纳米制程、低功耗、高容量以及定制化方向发展，以满足人工智能等领域对存储芯片的需求，具体如下：

• 推进 DRAM 制程缩小：华邦电子目前最先进的 DRAM 工艺是 20nm 级的 D20，计划在 2025 年下半年开始投产 16 纳米制程技术。这将提高产品性能、降低成本，增强其在市场中的竞争力，以更好地满足人工智能及相关技术应用对存储芯片的高性能需求。
• 研发低功耗高性能产品：基于 20nm 与先进的 16nm 制程，开发如 GP-Boost DRAM 等产品，为机器视觉、实时工业控制及 AI 感测节点等边缘高速数据处理应用提供高带宽与热稳定性，同时保持低功耗表现，以满足车用与工业市场需求。
• 提升存储芯片容量：16 纳米制程将支持 8GB 容量及更高容量的定制化人工智能 DRAM 的需求，满足市场对于大容量存储芯片的要求，为人工智能等领域提供更强大的存储支持。
• 开发定制化人工智能存储器：华邦电子正积极投入定制化人工智能存储器业务，瞄准 HBM 及利基型 DRAM 之间的市场需求。其 CUBE 项目已有超过 10 个产品，计划用于 AI 相关的穿戴设备等，2026 年有望实现量产，目标占 DRAM 营收 40%。