华邦电子低电压闪存技术在功耗方面表现优异，具有工作功耗低、待机功耗极小等优势，能有效节省能源，延长电池使用寿命。具体如下：

• 工作功耗低：华邦电子部分 NOR 闪存产品工作电压低至 1.2V，如 W25Q80NE 在主动模式下，1.2V 工作电压比起 1.8V 的内存器件可节省 33% 的电源消耗。
• 待机功耗极小：以 W25Q128FV 为例，其在 2.7V 至 3.6V 的单电源供电下工作，待机功耗仅为 1µA。而 1.2V 的 W25QxxNE 系列在省电模式下电源电流小于 0.5µA，约为 1.8V 同类产品的一半。
• 深度掉电模式功耗超低：面向可穿戴设备和低功耗物联网设备的 1.8V 1Gb QspiNAND 闪存 W25N01KW，具备先进的深度掉电模式，可将功耗降至低至 1µA，有助于延长电池使用寿命，优化用户体验。
• 降低电源管理复杂度间接节能：1.2V 串行 NOR 闪存采用 45nm 制程，可减少对电压转换器的依赖，简化电源电路设计。当系统单芯片等采用 1.2V 电压标准时，可采用较简单的低压差稳压器，减少大而复杂的电源管理芯片使用，在节省电路板空间与成本的同时，也间接降低了功耗。