华邦电子在低功耗技术方面拥有多项专利，以下是部分相关专利介绍：

• 半导体存储装置：授权公告号为 CN114694708B。该专利采用新型存储架构设计，通过在存储单元中嵌入智能算法，自动优化数据读写流程。同时引入全新的能效管理技术，可根据操作实际需求动态调整功耗，能在高温环境下稳定运行，降低整体系统功耗。
• 易失存储器以及其断电机制的控制方法：公开号为 CN119068924A。该专利提供了一种断电机制控制方法，可在接收断电命令时，判断是否处于丛发式刷新动作操作期间，并根据前次刷新动作时间和刷新时间间距，计算当前时间与下一次刷新动作的时间差，以此决定是否启动易失存储器的低电流工作模式，提高存储器在低电流环境下的稳定性。
• 存储装置及其连续读写方法：该专利通过独特的连续读写方法，实现更快的数据访问速度，在降低能耗的同时提高数据的稳定性和可靠性，理论上可以将读写速度提升至数百 MB/s，可应用于云计算和大数据环境下的数据处理。
• 三维芯片：公开号为 CN119108358A。该专利利用 3D 堆栈技术并结合异质键合技术，提供高带宽低功耗的单颗 1Gb 至 8Gb 内存，加强了带宽并降低数据传输时所需的电力。同时通过在芯片上设置温度传感器等设计，有助于提升芯片在高功率应用中的稳定性，间接为低功耗运行提供保障。