富满微的抗辐射干扰技术未来可能会朝着提升技术性能、融合新兴技术、拓展应用领域等方向发展，具体如下：

• 提升技术性能：富满微具备自主研发能力，且注重技术持续创新。未来将不断引入新的设计理念和工艺技术，通过采用更先进的半导体工艺，优化电路设计，进一步提高芯片的抗辐射干扰能力，同时提升产品整体性能，满足航空航天、高端工业控制等对可靠性要求极高领域的需求。
• 融合新兴技术：随着智能化、网络化趋势发展，富满微可能会将抗辐射干扰技术与人工智能、大数据等技术融合。例如，通过人工智能算法实时监测和分析辐射干扰情况，自动调整芯片工作模式，实现更精准、智能的抗干扰防护。也可能结合光子技术，利用光子抗电磁干扰、抗辐射性能好等特性，开发新型抗辐射干扰芯片或模块。
• 开发新型材料应用：新材料的研发和应用是提升防辐射性能的重要途径。富满微可能会关注并应用高效屏蔽材料、轻质柔性防辐射材料等新型材料，将其与芯片技术相结合，在提升抗辐射干扰能力的同时，满足不同应用场景对芯片尺寸、重量等方面的要求，如为可穿戴设备开发更轻薄且抗辐射的芯片。
• 拓展应用领域：目前富满微抗辐射干扰技术主要应用于通信、汽车电子等领域。未来，随着智能家居、可穿戴设备等领域对防辐射需求的增长，其会将技术拓展到这些新兴领域，为相关产品提供抗辐射干扰解决方案，如开发适用于智能家电、儿童智能手表的抗辐射芯片。
• 满足新行业标准与需求：随着 5G、物联网等技术发展，相关行业对设备抗辐射干扰性能提出了新要求。富满微将针对这些新兴领域的标准和需求，开发适配的抗辐射干扰技术，确保芯片在复杂电磁环境下能稳定支持 5G 基站、物联网终端等设备运行。
• 加强专利技术创新：从富满微已取得 “一种功率管驱动电路及芯片” 专利，可看出其注重通过专利保护技术创新。未来，公司会继续加大研发投入，围绕抗辐射干扰技术开展更多专利布局，通过创新电路结构、优化驱动方式等，提升抗辐射干扰技术水平。