华邦电子低电压闪存技术的核心技术专利涵盖存储装置结构、编程方法、读写控制等方面,以下是部分专利介绍:
- 存储装置专利:专利名称为 “存储装置”,授权公告号为 CN114333950B。该专利可能涉及更高效的数据读写性能、更低的功耗和更强的稳定性,顺应了市场对高性能存储解决方案的需求,可应用于个人计算机、移动设备、服务器、云存储、车载系统等多个领域。
- 半导体存储器及其控制方法专利:该专利设计了能够在多个子阵列间灵活调配存取路径的控制电路。当某一子阵列内的不良位线数量超过预设的备用位线数量时,可激活隔壁子阵列内的对应字线,利用后者的良好单元进行数据存取,提高存储器在不良状况下的存储可靠性。
- 半导体存储装置以及编程方法专利:此专利涵盖的存储装置及编程方法,在编程过程中引入更为先进的控制算法,通过优化数据访问路径,促进数据的快速存储和读取,可满足移动设备、云计算和人工智能等多个应用领域的需求。
- 存储装置及其连续读写方法专利:通过独特的连续读写方法,实现更快的数据访问速度,在降低能耗的同时提高数据的稳定性和可靠性,理论上可以将读写速度提升至数百 MB/s,为云计算和大数据环境下的数据处理提供重要应用价值。
- 易失存储器以及其断电机制的控制方法专利:提出了一种断电机制控制方法,在第一时间点接收断电命令时判断是否处于丛发式刷新动作的操作期间,根据先前刷新动作发生的时间点和时间间距计算当前时间点与下一次刷新动作之间的时间差,从而决定是否启动易失存储器的低电流工作模式,提高了存储器在低电流环境下的稳定性,延长易失存储器的寿命。