富满微的抗辐射干扰技术在 5G 基站中应用效果较好，可有效提升信号稳定性与芯片可靠性，降低电磁干扰，具体如下：

• 提升信号稳定性：富满微通过采用先进的半导体工艺和电路设计技术来提高芯片的抗辐射干扰能力。其 5G 射频芯片能支持多种通信频段，可在复杂的电磁环境中为 5G 基站提供稳定的射频信号处理能力，保障信号传输的稳定性，有效减少信号衰减和干扰，降低通信延迟，支持高清视频通话、在线游戏和虚拟现实等对信号稳定性要求较高的应用场景。
• 降低电磁干扰：富满微拥有 “一种功率管驱动电路及芯片” 相关专利，该技术用于驱动功率管，通过对功率管开启过程中电流支路的控制，能保证谷底锁定位置不发生偏移，开启周期基本不变，从而显著降低电磁干扰。此技术应用在 5G 基站相关电路中，可减少基站内部电路之间的干扰，提高基站整体的电磁兼容性。
• 提高芯片可靠性：5G 基站工作环境较为复杂，富满微的抗辐射干扰技术有助于提高芯片在各种环境下的可靠性，使其能在高温、高电磁辐射等环境中稳定工作，减少因辐射干扰导致的芯片故障概率，延长芯片使用寿命，进而降低 5G 基站的维护成本和停机时间。