富满微在抗辐射干扰技术方面经历了从技术积累到产品应用，再到专利突破的发展历程，具体如下：

• 早期技术积累阶段：富满微作为从事高性能模拟及数模混合集成电路设计、研发、封装、测试和销售的企业，自创立以来便在半导体领域积累技术。其凭借多年在射频技术等方面的专长，为抗辐射干扰技术发展奠定基础，在研发充电芯片等产品过程中，开始关注电磁兼容性技术，致力于抑制电磁干扰，以满足电子设备对信号稳定性要求。
• 产品应用与技术发展阶段：2022 年，富满微强调其 5G 射频芯片完全基于自主开发，具有完整的自主知识产权，在研发中必然考虑了抗辐射干扰等相关技术，以确保芯片在复杂电磁环境下正常工作。2023 年，其 5G 射频芯片量产，意味着抗辐射干扰等技术已应用于实际产品中，且技术成熟度达到量产要求。同年推出的 FM5821 微波雷达传感器 SOC 芯片，内置数字模块和 LDO，可有效避免同频干扰、物体误触等各类干扰问题，还能减少外部电源的干扰，体现了公司在抗干扰技术上的应用成果。
• 专利突破阶段：2025 年 5 月 30 日，富满微 “一种零火线混接对齐电路” 进入专利公布阶段，该技术可显著优化压差检测速度和准确性，避免干扰。2025 年 6 月，公司取得 “一种功率管驱动电路及芯片” 专利，通过对功率管开启过程中电流支路的控制，保证谷底锁定位置不偏移，开启周期基本不变，使电磁干扰明显降低。这些专利标志着富满微在抗辐射干扰技术方面取得重要突破，技术水平得到进一步提升。