华邦电子半导体存储专利技术在物联网领域呈现出性能提升、能效优化等发展趋势，这些趋势有诸多具体数据支撑，如下：

性能提升

• 更高的数据读写速度：华邦电子的 1Gb 1.8V QspiNAND 闪存 W25N01KW 在连续读取和顺序读取模式下均能实现高达 52MB / 秒的读取速度，可确保超高速的代码及数据访问。
• 更低的响应延迟：华邦 1Gb LPDDR3 DRAM 搭配清微智能 TX510 SoC 时，能在不到 100 毫秒的时间内执行准确的脸部识别（错误接受率为千万分之一），且能在不到 50 毫秒的时间内将特征与 10 万个数据库中的面部信息进行比较，低延迟特性显著。该 DRAM 可提供每秒 1866Mb 的最高带宽，助力 TX510 SoC 执行速度高达 1.2T（Int8）。

能效优化

• 进一步降低功耗：华邦电子的 1.2V Serial NOR Flash 产品，配备 Dual/Quad SPI 及 QPI 接口，在提供与 1.8V/3V Serial NOR Flash 相同性能的同时，运行功耗减少三分之一，实现了高能效与高性能的平衡。

集成与小型化

• 更高的集成度：华邦电子是全球最大的 Serial Flash 供应商，其 SpiFlash® 产品系列容量从 512Kb 到 1Gb，电压支援 1.8V 与 3V，可提供 8 - pin、16 - pin SOIC 和 24 - ball BGA 的封装，并可达到 133MHz 的操作频率，在有限封装内实现了较大容量和较高性能。