目前已知华邦电子有一项名为 “电压产生电路” 的专利，公开号为 CN 119024914 A，申请日期为 2023 年 7 月。

华邦电子 “电压产生电路” 专利（CN 119024914 A）通过创新的电路架构和控制逻辑，为半导体存储及相关领域提供了高效的电压解决方案。该专利对行业发展的影响主要体现在以下几个方面：

一、推动存储技术性能提升

1. 高压产生效率优化
2. 专利通过双比较器（第一比较器和第二比较器）配合升压电路与输出电路的设计，可在无需依赖传统高压组件（如电位移位器）的情况下，精准生成编程和擦除操作所需的高电压。这一特性直接提升了 NAND 闪存等存储器件在增量步进脉冲编程（ISPP）和擦除（ISPE）场景中的电压稳定性，减少信号干扰和能量损耗，从而提高存储单元的读写速度和耐久性。
3. 降低电压波动导致的可靠性风险
4. 传统高压产生电路易因元件特性差异或工艺偏差引发电压漂移，可能导致存储数据错误或器件寿命缩短。该专利通过闭环反馈控制机制（比较参考电压与反馈电压），实时调整输出电压，显著降低了电压波动对存储单元的影响，尤其在高温、高频等极端工作条件下，可提升存储系统的可靠性，减少因电压异常导致的系统故障。

但不排除华邦电子还有其他未公开或处于申请流程中的相关专利，以及与电压产生电路相关的改进型专利等。如果需要准确了解其所有相关专利数量，建议通过专业的专利检索平台或机构进行全面检索和查询。