华邦电子的三维芯片技术相较于传统二维芯片技术有以下优势：

• 高带宽与低功耗：在边缘计算领域，华邦电子的 3D TSV DRAM 采用 Chiplet 方式集成，将 SoC 裸片置上、DRAM 裸片置下，通过微键合工艺缩短信号传输距离，未来采用混合键合工艺时线长可进一步缩短至 1 微米，大幅降低功耗，同时可实现 16 - 256GB/s 的带宽，满足高带宽需求。例如，其 CUBE 芯片通过多个 I/O 结合 28nm SoC 可提供 500MHz 运行频率及最高 256GB/s 带宽，而传统二维芯片要达到类似带宽则可能需要依赖更先进且成本更高的制程工艺。
• 成本降低：一方面，在先进制程芯片中，采用 3D 芯片技术可省去 SoC 中的 TSV 工艺，大幅降低 SoC 裸片的尺寸与成本；另一方面，华邦电子的 3D CUBE as a Service 平台可让客户使用成熟制程（28nm/22nm）获得类似高速带宽，避免了使用先进制程实现高带宽的高昂成本。
• 散热良好：考虑到 AI 芯片等高算力需求，华邦电子在设计 3D 芯片时将 SoC 裸片置上，这种结构有利于散热，可有效解决高算力芯片的散热问题，提高芯片的稳定性和可靠性。
• 信号稳定：CUBE 芯片采用硅电容（Si - Cap），能够有效降低电源波动带来的影响，提高信号稳定性，满足先进制程芯片的电容需求。
• 封装尺寸小：通过 3D 堆叠和 TSV 工艺，华邦电子的三维芯片进一步缩减了封装尺寸，适用于对尺寸要求苛刻的应用场景，如新能源汽车、5G、可穿戴设备等领域。