乐山无线电股份有限公司（简称 LRC）位于中国西部大开发中心地带的历史文化名城 ------ 四川乐山，创建于 1970 年，是以半导体分立器件为主产品的综合性电子企业。在改革开放中，经过多年艰苦奋斗，公司持续快速发展壮大，拥有成都先进功率半导体股份有限公司（APS）、乐山 - 菲尼克斯半导体有限公司（LPS）、半导体芯片制造分厂、成都蜀芯集成电路设计有限公司、桥式器件生产线等多个独资和合资公司的集团企业。

该公司生产的功率 MOS 类芯片产品类型较为丰富，具体如下：

沟槽 MOS：沟槽 MOSFET 是一种广泛应用于电力电子领域的功率半导体器件，具有低导通电阻、高开关速度和低栅电荷等优点，适用于高频开关电源、电机驱动等应用。

SGT MOS：分裂栅 MOS（SGT MOS），主要应用于中低压领域，具有开关速度快、导通电阻低、栅电荷小等优点，适用于高效电源管理、电机驱动等领域。

超结 MOS：超结 MOSFET（SJ MOS）是一种新型的功率半导体器件，它采用了超级结结构，具有低导通电阻、高开关速度、低栅电荷等优点，适用于高压、高频、大功率应用，如电源、逆变器、电动汽车等领域。

IGBT：绝缘栅双极型晶体管（IGBT），是一种用于控制和改变电压电流的大小及频率的半导体，一般用在不间断电源 UPS 和变频器上。它是新能源汽车的 “心脏”，可以帮助空调、洗衣机实现节能减排，又可以应用在太阳能、风能发电的逆变器里，将蓄电池的直流电逆变成交流电，可以说是电力电子行业里的 “全能选手”。

SiC MOS：碳化硅 MOSFET（SiC MOS）是一种基于碳化硅材料的功率半导体器件，具有高耐压、低导通电阻、高开关速度等优点，适用于高温、高频、大功率应用，如电动汽车、充电桩、太阳能逆变器等领域。

总的来说，乐山无线电股份有限公司的功率 MOS 类芯片在性能、质量和可靠性等方面都有一定的保障，并且具有多种不同的类型，可以满足不同客户的需求。