在移动设备和可穿戴设备中，如 TWS 耳机与健身手环，华邦电子的 W25Q 系列表现出色。通常，移动设备和可穿戴设备的总功耗有 99%都是在运行模式中产生，与 1.8V SpiFlash 产品相比，华邦 1.2V SPI NOR Flash 可将 Flash 本身的运行功耗减少三分之一。因此，使用华邦的 1.2V NOR Flash 可帮助电池容量较小的设备大幅延长产品续航时间。例如，在 TWS 耳机中，更长的续航时间能够让用户享受更持久的音乐体验，而在健身手环中，则可以更好地记录用户的运动数据。

华邦电子 W25Q 系列芯片包含 W25Q80RV、W25Q64NE 等型号，以下是这些芯片在移动和可穿戴设备中的节能表现：

• W25Q80RV：
• 低功耗：该芯片采用2.7V-3.6V单电源供电，关断电流低至1μA，有效降低设备功耗。
• 小扇区架构：闪存被整理为4KB的小扇区，在需要代码、数据和参数存储的应用中能够提供更大的灵活性与存储效率。
• 高速读取：支持高达133MHz单通道传输和66MHz双通道传输的SPI时钟频率，读取命令绕行模式（Read Command Bypass Mode）还允许更快的内存读取，从而实现真正的片上执行（XIP）操作，提高系统性能。
• W25Q64NE：
• 低电压工作：W25Q64NE 闪存的工作电压为1.2V，可兼容单节 AA 型碱性电池的输出电压，与1.8V SPI Flash产品相比，华邦1.2V SPI NOR Flash可将 Flash 本身的运行功耗减少三分之一。因此，使用华邦的1.2V NOR Flash可帮助电池容量较小的设备像是 TWS 耳机与健身手环大幅延长产品续航时间。
• 低功耗：在工作频率为50MHz的读取模式下，1.8V SPI Flash 内存的工作电流为4mA，功耗为7.2mW，而同样在50MHz时，华邦1.2V SPI Flash内存的工作电流也为4mA，但功耗仅为4.8mW。使用1.2V SpiFlsh替换1.8V产品，可立即节省33%的功耗。
• 简化系统设计：随着 SoC 工艺向更先进的制程发展，新一代 SoC 的 I/O 电压正在逐步降低，目前已经低于1.8V，因此需要搭配电平转换器才能与传统的1.8V/3V SPI Flash连接，这将导致额外的成本支出并增加系统设计的复杂性。而采用1.2V闪存，SoC无需电平转换器即可直接连接到 SPI Flash，从而降低 BOM 成本和 PCB 占用空间。